紅外平面探測器是熱成像系統(tǒng)的核心部件，廣泛應用于電力、鐵路、石化、安全、醫(yī)療等領(lǐng)域。紅外平面探測器分為制冷紅外平面探測器和非制冷紅外平面探測器。熱敏元件是紅外探測器的核心部件，是接收紅外輻射和輸出信號的橋梁。非制冷紅外平面探測器的熱敏元件主要是氧化釩和多晶硅。氧化釩和多晶硅有什么區(qū)別?

　　一、氧化釩和多晶硅的相同之處。

　　1.相同類型的薄膜。

　　氧化釩膜和非晶硅膜均為半導體熱敏膜，其電阻溫度系數(shù)TCR與電阻率成正比。

　　2.是生產(chǎn)工藝相同。

　　微測量輻射熱計技術(shù)與CMOS工藝兼容，可以與CMOS讀取電路集成，可以基于半導體制造技術(shù)的大規(guī)模生產(chǎn)是非制冷紅外焦平面探測器的主要技術(shù)。

　　二、氧化釩和多晶硅之間的區(qū)別。

　　1.成像原理不同。

　　氧化釩探測器的像元是正確的溫度，多晶硅薄膜由于材料的生長特性對溫度的變化不敏感，但隨著軟件算法的發(fā)展，可以通過圖像算法程序進行一定程度的補充。用圖像算法將N*N(N≥2)像元的平均溫度作為測溫值，在附近區(qū)域提供模擬的人工數(shù)值。近距離觀察時正確，遠距離觀察時，一個物體只有幾個像元，常常無法識別或分析結(jié)果錯誤。

　　2.薄膜性能指標不同。

　　在相同的電阻條件下，氧化釩膜TCR優(yōu)于多晶硅膜;在相同的TCR條件下，多晶硅膜的1/f噪聲系數(shù)高于氧化釩膜的2個數(shù)量級，這在很大程度上限制了基于多晶硅膜的探測器的固有靈敏度和固定圖形噪聲，隨著像元尺寸的縮小，這種限制會越來越明顯。

　　3.技術(shù)指標不同。

　　氧化釩探測器的熱敏度可達20~30mk，多晶硅探測器的靈敏度一般在50~60mk之間。多晶硅殘余固定圖形噪，高于氧化釩的數(shù)量級以上，具體表現(xiàn)為圖像有蒙紗感，紅外線圖像感覺不夠透明。

　　氧化釩和多晶硅探測器的性能各不相同，各有優(yōu)點，隨著紅外技術(shù)的進步，探測器的性能得到了更好的優(yōu)化。目前，一般重點是成像型選擇氧化釩，重點是測溫精度選擇多晶硅(同樣條件下，非制冷紅外熱像儀)

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